近日，我校发光材料与信息显示研究院、材料科学与工程学院魏展画教授团队在国际材料类期刊 ACS Applied Materials & Interfaces上发表了题为“Efficient Perovskite Light-Emitting Diodes by Buried Interface Modification with Triphenylphosphine Oxide”的文章。ACS Applied Materials & Interfaces是American Chemical Society（ACS）出版社发行的表界面材料领域的权威杂质，被中科院文献情报中心确定为1区Top期刊，最新影响因子为10.383。

近年来，研究人员提出了许多有效的策略来钝化界面缺陷。然而，以往的研究大多集中在对钙钛矿顶部界面的修饰上，对埋底界面的研究很少。在钙钛矿和空穴传输层(HTL)之间沉积了三苯基氧化膦(TPPO)分子，来修饰埋底界面。TPPO的加入避免了钙钛矿与HTL的接触复合，并通过改善衬底的润湿性提高了钙钛矿薄膜质量。此外，P=O的孤对电子可以与钙钛矿的未配位的铅(Pb²⁺)相互作用，并且钝化卤素空位缺陷。额外的，TPPO的绝缘性能有助于平衡空穴和电子的注入。最终，在30个Pero-LEDs器件中，最大外量子效率(EQEmax)为21.01%，平均为18.4±0.9%，器件的重现性大大增强。该工作证明了埋底界面修饰是一个重要而可行的策略，为进一步提高Pero-LEDs性能提供了良好的方向。

该研究工作在魏展画教授指导下，由我校博士生赵亚萍和中国工程物理研究院博士生黎明亮等共同完成，研究得到了国家自然科学基金、福建省自然科学基金及华侨大学科研基金的资助。

论文链接：https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acsami.2c19123